onsemi AFGHL50T65SQDC混合IGBT

安森美半导体AFGHL50T65SQDC混合IGBT具有低导通损耗和开关损耗，性能极佳。AFGHL50T65SQDC具有50A电流和650V集电极-发射极电压。该器件非常适合用于在各种应用中高效运行，尤其是推拉输出电路无桥PFC和逆变器。AFGHL50T65SQDC混合IGBT符合汽车应用类AEC-Q100标准。