onsemi FFSP碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSP碳化硅肖特基二极管旨在充分利用碳化硅器件相对于硅 (Si) 器件的优势。FFSP碳化硅肖特基二极管具有更高的正向浪涌能力、更低的反向漏电流并且无无反向恢复电流。另外,这些碳化硅肖特基二极管还具有与温度无关的开关特性和出色的散热性能。这样可以提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

安森美半导体FFSP碳化硅肖特基二极管采用行业标准的TO-220-2L封装。因此,设计人员可直接利用它们替代对应的硅器件,从而迅速提高效率、降低工作温度,同时对系统进行最少的修改。

特性

  • 碳化硅可提供出色的开关性能和更高的可靠性
  • 高浪涌电流能力
  • 正温度系数
  • 无反向恢复
  • 无正向恢复
  • 最高工作结温:175°C
  • 易于并联
  • 行业标准TO-220-2L封装

应用

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 工业电源
  • 太阳能
  • 电动汽车充电器
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物料编号 If - 正向电流 Ifsm - 正向浪涌电流 数据表
FFSP1265A 12 A 70 A FFSP1265A 数据表
FFSP0865A 8 A 49 A FFSP0865A 数据表
FFSP1065A 10 A 56 A FFSP1065A 数据表
FFSP1665A 16 A 90 A FFSP1665A 数据表
FFSP08120A 8 A 68 A FFSP08120A 数据表
FFSP15120A 15 A 115 A FFSP15120A 数据表
FFSP2065A 20 A 105 A FFSP2065A 数据表
FFSP20120A 20 A 135 A FFSP20120A 数据表
FFSP3065A 30 A 150 A FFSP3065A 数据表
FFSP1065B 10 A 45 A FFSP1065B 数据表
发布日期: 2018-01-25 | 更新日期: 2022-10-18