onsemi 碳化硅肖特基二极管

安森美半导体碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的650V和1200V器件有各种电流和封装选项可供选择,非常适合用于下一代电源系统设计。

特性

  • 无反向恢复
  • 无正向恢复
  • 低VF(较低的导通损耗)
  • 在整个温度范围内具有漏电稳定性
  • 温度无关的开关特性
  • 较高的浪涌和雪崩耐受能力
  • 正温度系数
  • 较高的工作温度 (TJMAX=175ºC)

应用

  • 太阳能光伏逆变器 (PV)
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 电动汽车和混合动力汽车充电器
  • 配电
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电信和服务器电源

再三思量

onsemi 碳化硅肖特基二极管
发布日期: 2018-04-24 | 更新日期: 2022-10-20