onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTBG023N065M3S 23m Ω EliteSiC MOSFET采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。 此MOSFET具有650V漏极-源极电压、40A连续漏极电流、263W功率耗散以及216A脉冲漏极电流。NTBG023N065M3S MOSFET集成了超低栅极电荷和高速开关MOSFET，具有低电容 (Coss = 153pF)。此MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经过雪崩测试。NTBG023N065M3S MOSFET不含卤素，符合RoHS指令，享有7a豁免。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、UPS、能量存储和电动汽车充电基础设施。