onsemi NTHL025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有导通电阻,其紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。
特性
- 典型值RDS(on) = 19m(VGS = 18V时)
- 典型值RDS(on) = 25m(VGS = 15V时)
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 164nC)
- 低电容 (Coss=278pF)
- 100%经雪崩测试
- TJ=175°C
- 该器件不含卤素,符合RoHS指令(7a豁免), 无铅2LI(二级互连)
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发布日期: 2022-05-09
| 更新日期: 2023-07-27