onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET设计用于处理大电流,这对于直流-直流电源转换级至关重要。这款40V、207A、单N沟道功率MOSFET具有更低的导通电阻、更高的功率密度以及出色的散热性能。该屏蔽栅极沟槽设计具有超低栅极电荷和1.3mΩ RDS(on) 。紧凑型3.3mmx3.3mm下源双冷第二代封装无铅、无卤、无BFR,符合RoHS指令。安森美半导体NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET设计用于为数据中心和云应用提供高效解决方案。

特性

  • 超低1.3mΩ Rds(on) 提高了系统效率
  • 低Qg和电容,可最大限度地降低驱动和开关损耗
  • 板级可靠性(BLRT测试):1000次(-40°C至+125°C,10分钟)。dwell,+20°C/min,6层2.35T
  • 采用先进的下源式中心栅极双冷却封装技术,导热性能优异
  • 封装尺寸:3.3 mm x 3.3 mm x 0.58 mm
  • 无铅、无卤、无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 云系统
  • 数据中心/IBC
  • 电源单元(PSU)

视频

发布日期: 2024-10-23 | 更新日期: 2025-05-13