onsemi NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3S平面SiC MOSFET，优化用于快速开关应用。安森美NVBG022N120M3S采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列在使用18V栅极驱动时具有最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。这些MOSFET的典型应用包括用于电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和DC/DC转换器。