onsemi M3S EliteSiC MOSFET
安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比,该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用,包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。
特性
- 优化用于采用硬开关拓扑的高开关频率应用
- 与1200V 20mΩ M1同类产品相比,总开关损耗 (Etot) 降低约40%
- 太阳能系统、车载充电器和电动汽车充电站应用
- 无短路能力
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发布日期: 2023-04-04
| 更新日期: 2025-11-12