onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NVH4L095N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用先进技术，可实现更好的开关性能和可靠性。安森美 (onsemi) NVH4L095N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，从而降低了电容和栅极电荷。该器件还具有高效率、快速运行、高功率密度、低EMI和小系统尺寸等特性。
特性
- 典型值RDS(on) =70m（VGS =18V时）
- 典型值RDS(on) =95m（VGS =15V时）
- 超低栅极电荷 (QG (tot) =50nC)
- 低输出电容 (Coss =89pF)
- 100% 经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 该器件无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车板载充电器
- 汽车直流/直流转换器（用于EV/HEV）
相关MOSFET
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
高性能器件，具有出色的特性。
了解EliteSiC详情
发布日期: 2023-11-08
| 更新日期: 2024-06-18