onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET是一款高效的功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。安森美 (onsemi) NVMFS5830NL采用先进的沟槽技术，具有极低的R_DS(on)（V_GS=10V时为2.3mΩ），使该MOSFET成为大电流系统的理想选择，可将导通损耗降至最低。该器件采用5mmx6mmx1mm扁平引脚SO-8FL封装，可增强热性能和电路板空间利用效率，而较低的栅极电荷和快速开关特性有助于改善系统整体效率。提供可润湿侧翼选项，可增强光学检测能力。凭借大电流能力、低开关损耗和紧凑型占位面积，NVMFS5830NL非常适合用于电机控制应用和高/低侧负载开关。

特性

占位面积小（5mmx6mm），适用于紧凑型设计
低R_DS(on)，可将导通损耗降至最低
低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗

DFN5 (SO−8FL) Case 488AA样式1封装，带可润湿侧翼
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅、无卤、符合RoHS指令

应用

电机控制
高侧/低侧负载开关

规范

最大漏源电压：40V
最大栅极到源极电压：±20V
最大脉冲漏极电流：1012A
最大单脉冲漏源雪崩能量：361mJ
关态特性
- 最小漏源击穿电压：40V
- 典型漏源击穿电压温度系数：32mV/°C
- 最大零栅极电压漏极电流范围：1µA（+25°时）至100µA（+125°C时）
- 最大栅源漏电流：±100nA
通态特性
- 栅极阈值电压范围：1.4V至2.4V
- 典型负阈值温度系数：7.2mV/°C
- 最大漏源导通电阻范围：2.3mΩ（10V时）至3.6mΩ（4.5V时）
- 典型正向跨导：38S
典型电容
- 5880 pF输入
- 750 pF输出
- 反向传输：500 pF

电荷
- 典型总栅极电荷范围：58nC至113nC
- 典型阈值栅极电荷：5.5nC
- 典型栅源电荷：19.5nC
- 典型栅漏电荷：32nC
- 典型高原电压：3.6V
典型开关特性
- 导通延迟时间：22ns
- 32 ns 上升时间
- 关断延迟时间：40ns
- 27 ns 下降时间
漏源二极管特性
- 最大正向二极管电压：1.0V
- 反向恢复时间：41 ns（典型值）
- 典型充放电时间：19ns
- 典型反向恢复电荷：33nC
最大热阻
- 结至安装板：1.0°C/W（稳定状态）
- 结至环境：39°C/W（稳定状态）
最大引线焊接温度：+260°C