一款高效的单N沟道功率MOSFET,专为高要求电源管理应用而设计。
专为低电压应用设计的高性能MOSFET,可实现高效的电源切换。
最大限度地降低导通和开关损耗,具有较高散热性能。
具有92A漏极连续电流、在10V时4.6 mΩ RDS(ON)RDS以及60V漏源电压。
采用紧凑设计,占位面积为5mm x 6mm。
专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。
该器件具有288A漏极连续电流、10V RDS(ON)时的1.2mΩ和60V源漏电压。
符合AEC−Q101标准的MOSFET,可为汽车应用提供紧凑高效的解决方案。