onsemi NVMFS5C612N汽车用功率MOSFET
onsemi NVMFS5C612N汽车功率MOSFET具有低R
DS(on) 、Q
G 和栅极电容,可最大限度地降低传导和开关损耗。onsemi NVMFS5C612N汽车MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装,专为实现高散热性能而设计。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。
特性
- 低RDS(on)可最大限度地减少传导损耗
- 低QG、电容和栅极电荷可最大限度地降低开关损耗
- 设计紧凑,占位面积为5 mm × 6 mm
- 增强型光学检测
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 符合RoHS指令
- 汽车设计,包括高热性能
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符合AEC−Q101标准的MOSFET,可为汽车应用提供紧凑高效的解决方案。
采用5mm x 6mm扁平引线和双面冷却封装,非常适合紧凑高效的设计。
发布日期: 2020-02-26
| 更新日期: 2025-11-24