onsemi NVMFS5C612N汽车用功率MOSFET

onsemi NVMFS5C612N汽车功率MOSFET具有低RDS(on) 、QG 和栅极电容,可最大限度地降低传导和开关损耗。onsemi NVMFS5C612N汽车MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装,专为实现高散热性能而设计。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

特性

  • 低RDS(on)可最大限度地减少传导损耗
  • 低QG、电容和栅极电荷可最大限度地降低开关损耗
  • 设计紧凑,占位面积为5 mm × 6 mm
  • 增强型光学检测
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 符合RoHS指令
  • 汽车设计,包括高热性能

应用

  • 反向电池保护
  • 电磁驱动器
  • 开关电源
  • 电源开关
  • 电机控制
  • 负载开关

原理图

应用电路图 - onsemi NVMFS5C612N汽车用功率MOSFET
发布日期: 2020-02-26 | 更新日期: 2025-11-24