onsemi NVMJD010N10MCL功率MOSFET

安森美（onsemi）NVMJD010N10MCL功率MOSFET是一款双N沟道MOSFET，设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该功率MOSFET的漏-源电压为100V，漏极电阻为10mΩ，连续漏极电流为62A。NVMJD010N10MCL MOSFET具有总栅极电荷（Q_G）低和电容小的特点，从而可以最大限度地减少驱动器损耗。该MOSFET采用5mmx6mm扁平引线封装，是一款符合AEC-Q101标准的MOSFET。该器件无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令。该功率MOSFET非常适合用于电磁阀驱动器低侧/高侧驱动器、汽车发动机控制器和防抱死制动系统。