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onsemi NxHL080N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET

安森美半导体NxHL080N120SC1 N通道碳化硅MOSFET是1200V、80mΩ MOSFET，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。NxHL080N120SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、高速开关、高功率密度、低EMI以及较小的系统尺寸等特性。这些MOSFET采用TO247-3L/TO247-3LD封装。NVHL080N120SC1和NVHL080N120SC1A MOSFET符合汽车级AEC-Q101认证标准。

特性

  • 1200V VDSS (TJ=150°C)
  • 80mΩ漏极-源极导通电阻 (RDS(on))（典型值）
  • 高速开关，低电容
  • 100%经UIL测试
  • 工作结温范围：
    • -55°C至150°C（适用于NTHL080N120SC1）
    • -55°C至175°C（用于NVHL080N120SC1和NVHL080N120SC1A）
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • NVHL080N120SC1:
    • 汽车辅助电机驱动
    • 车载充电器
    • 用于电动汽车 (EV)/混合动力电动汽车 (HEV) 的汽车直流/直流转换器
  • NTHL080N120SC1:
    • 工业电机驱动器
    • UPS
    • 升压逆变器
    • 光伏 (PV) 充电器
  • NVHL080N120SC1A:
    • 车载充电器
    • 汽车直流/直流转换器，用于电动汽车 (EV)/混合动力电动汽车 (HEV)

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视频

NxHL080N120SC1性能图

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发布日期: 2019-03-03 | 更新日期: 2024-01-19