Qorvo QPD1013 GaN射频晶体管
Qorvo QPD1013 GaN射频晶体管是一款大功率、宽带宽的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率为直流至2.7GHz。该单级功率晶体管是一款150W分立式SiC上GaN器件，性能出色。QPD1013射频晶体管采用超模压塑料封装，适用于军用雷达、地面移动和军用无线电通信等各种应用。
特性
- 频率：直流至2.7GHz
- 低热阻封装
- 连续波和脉冲功能
应用
- 军用雷达
- 地面移动和军用无线电通信
- 测试仪器仪表
- 宽带和窄带放大器
- 干扰发射机
规范
- 178W输出功率
- 线性增益：21.8dB
- 工作电压：65V
- 64.8% PAE3dB
框图
评估板
Qorvo QPD1013 GaN射频晶体管评估板
用于评估QPD1013 GaN射频晶体管。
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发布日期: 2018-01-24
| 更新日期: 2023-11-07