QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

结果: 41
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
数据表
375库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
数据表
129库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
数据表
25库存量
25在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
数据表
61库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
数据表
53库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
Qorvo GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
数据表
68库存量
250预期 2026/4/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
数据表
25库存量
25预期 2026/3/9
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
数据表
100库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
数据表
141库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
数据表
5库存量
700在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
数据表
45预期 2026/3/24
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

SMD/SMT NI400-2 N-Channel - 40 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 275 C 288 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 250 C 288 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
数据表
产品评论
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

Die N-Channel