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ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET

ROHM Semiconductor汽车用40A和80A功率MOSFET是N沟道和P沟道器件。 此系列MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻，脉冲漏极电流为 ±80A/±160A，功耗高达142W。40A和80A功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经雪崩测试。该系列功率MOSFET非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 脉冲漏极电流：±80A/±160A
  • 功耗高达142W
  • 温度范围范围：-55°C至175°C
  • 100% 经雪崩测试
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准

应用

  • ADAS
  • 汽车
  • 照明

数据手册

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ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET

AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。

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物料编号 数据表 下降时间 正向跨导 - 最小值 Id-连续漏极电流 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 晶体管极性 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间 Vds-漏源极击穿电压 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL 数据表 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL 数据表 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB 数据表 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL 数据表 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL 数据表 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
发布日期: 2025-05-19 | 更新日期: 2025-10-09