ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET是一款高性能开关和整流器设备,用于广泛的电源和信号应用。符合AEC-Q101标准的ROHM RD3x组件具有正向电压低、恢复时间快、浪涌电流能力高等特点,使MOSFET成为紧凑型电子系统中高效电源转换和保护的理想选择。RD3系列具有针对汽车、工业和消费类电子产品定制的选项,支持DC-DC转换器、电机驱动器、LED灯和电池供电设备等应用。紧凑型表面贴装(TO-252-3)封装和低漏电流有助于节省空间和实现节能设计,而高可靠性则可确保在苛刻条件下具有稳定性能。特性
- 符合 AEC-Q101
- 低正向电压
- 快速恢复时间
- 大浪涌电流能力
- 针对低漏电流进行了优化
- 高可靠性
- Si技术
- 单通道
- 增强模式
- 表面贴装TO-252-3封装
- 符合 RoHS 要求
应用
- 电源电路
- 直流-直流转换器
- 电池供电设备
- 电机驱动器
- 汽车电子设备
- LED灯系统
- 通信设备
- 网络设备
- 通用开关
- 负载开关
- 反向电压保护
- 便携式电子设备
- 物联网 (IoT) 模块
规范
- 40V至250V漏极/源极击穿电压范围
- 5A至80A漏极连续电流范围
- 2.3mΩ至300mΩ漏极/源极电阻范围
- 栅极-源极电压:±20 V
- 2.5V至5V栅极/源极阈值电压范围
- 8nC至82nC栅极电荷范围
- 15W至142W耗散功率范围
- 工作温度范围:-55°C至+150°C/+175°C
发布日期: 2025-10-09
| 更新日期: 2025-12-17
