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ROHM Semiconductor QH8K双N沟道+N沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor QH8K双N沟道小信号 MOSFET支持40V、60V或100V耐受电压。该系列设计用于24V输入设备，例如工厂自动化设备和安装在基站（冷却风扇）上的电机。QH8K器件包含一个低导通电阻N沟道MOSFET，与传统ROHM产品相比，导通电阻降低了58%。这样可降低元件的功耗。这些MOSFET采用小型表面贴装TSMT8封装，具有8个端子和无铅电镀。ROHM Semiconductor QH8K双N沟道小信号MOSFET非常适合用于开关和电机驱动应用。

特性

  • 双通道Nch+Nch极性
  • 8个端子
  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 (TSMT8)
  • 非常适合用于开关应用
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS指令
  • 无卤素

规范

  • 漏极-源极电压 (VDSS)：40V或60V
  • RDS(on) 最大值：17.7mΩ、30mΩ、44mΩ或90mΩ
  • 漏极电流 (ID)：±3A、±4.5A、±5.5A或±8A
  • 功耗：1.5W

应用

  • 开关
  • 电机驱动器

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物料编号 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 上升时间 下降时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
QH8KC6TCR 60 V 5.5 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC 5.6 ns 4.4 ns 21 ns 8.7 ns
QH8KB6TCR 40 V 8 A 17.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.6 nC 6.2 ns 4.5 ns 21 ns 8.5 ns
QH8KE5TCR 100 V 2 A 202 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC 6 ns 5 ns 15 ns 6 ns
QH8ME5TCR 100 V 2 A 202 mOhms, 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 19.7 nC 6 ns, 7 ns 5 ns, 48 ns 15 ns, 105 ns 6 ns, 7.3 ns
QH8KB5TCR 40 V 4.5 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC 4.4 ns 2.7 ns 11 ns 5 ns
QH8KC5TCR 60 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC 4.8 ns 3.1 ns 13 ns 5.3 ns
QH8KE6TCR 100 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC 8 ns 9 ns 20 ns 7.5 ns
发布日期: 2021-06-30 | 更新日期: 2024-01-29