ROHM Semiconductor SH8M双通道Nch+Pch功率MOSFET
ROHM Semiconductor SH8M双Nch+Pch功率MOSFET包括两个60V MOSFET，采用小型表面贴装SOP8封装，具有八个端子。该器件具有低导通电阻、±6.5A/±7A的漏极电流ID、32mΩ至33mΩ最大RDS(on) 以及2W功耗。ROHM Semiconductor SH8M双通道Nch+Pch功率MOSFET采用无铅电镀，不含卤素，符合RoHS指令。SH8M非常适合用于开关应用。
特性
- 双通道Nch+Pch极性
- 8个端子
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (SOP8)
- 非常适合用于开关应用
- 无铅镀层
- 符合RoHS指令
- 不含卤素
规范
- 漏极-源极电压（VDSS）：-60V至60V
- RDS(on）：32mΩ至33mΩ（最大值）
- 漏极电流ID：±6.5A/±7A
- 功率耗散：2W
对比图
更小尺寸，更少元件
解决方案示例
• QH8MC5（±60V Nch+Pch双MOSFET) + BD63001AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）
• SH8KB6（+40V Nch+Nch双MOSFET）+ BM62300MUV（三相无刷预驱动器IC）
• SH8KB6（+40V Nch+Nch双MOSFET）+ BD63002AMUV（三相无刷预驱动器IC）
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