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ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。RGSx0TSX2x IGBT具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT采用TO-247N封装。RGS80TSX2D、RGS30TSX2D和RGS50TSX2D还具有 集成的快速恢复二极管 (FRD)。

特性

  • 短路耐受时间：10μs
  • 内置FRD快速软恢复二极管（仅限RGS80TSX2D、RGS30TSX2D和RGS50TSX2D）
  • 集电极-发射极电压 (VCES)：1200V
  • 栅极-发射极电压 (VGES)：±30V
  • 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))：1.7V
  • 栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))：7V
  • 工作结温范围：-40°C至+175°C
  • TO-247N封装
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 通用逆变器
  • UPS
  • 光伏逆变器
  • 调功器

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引脚布局

原理图 - ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT
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物料编号 数据表 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 数据表 50 A 395 W
RGS80TSX2GC11 RGS80TSX2GC11 数据表 80 A 555 W
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 数据表 30 A 267 W
RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 数据表 30 A 267 W
RGS80TSX2DGC11 RGS80TSX2DGC11 数据表 80 A 555 W
RGS50TSX2DGC11 RGS50TSX2DGC11 数据表 50 A 395 W
发布日期: 2021-03-17 | 更新日期: 2022-03-11