ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽型车用IGBT

ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽汽车用IGBT是符合AEC-Q101标准的汽车用IGBT，有1200V和650V型号可供选择。这些IGBT具有同类领先的低导通损耗，可减小尺寸并提高应用的效率。RGS IGBT采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极－发射极饱和电压 (V CE_(sat)) 并降低开关损耗。ROHM Semiconductor RGS IGBT可为各种高电压和大电流应用提供更高的节能效果。