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ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET采用专有的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，导通电阻降低50%，输入电容降低35%。MOSFET包含一个额外的引脚，可分离驱动器和电源引脚，消除电感元件在减少Vgs方面的影响，确保更快的开关速度。ROHM Semiconductor沟槽型MOSFET具有高电压电阻、低导通电阻、快速开关速度、易于驱动和易于并联等特性。

特性

  • 低导通电阻
  • 开关速度快
  • 快速反向恢复
  • 易于并联
  • 易于驱动
  • 引脚无铅电镀
  • 符合RoHS指令

应用

  • 太阳能逆变器
  • 直流/直流转换器
  • 开关模式电源
  • 感应加热
  • 电机驱动器

规范

  • SCT3xxxAW7
    • 650 V漏源电压
    • 漏极－源极导通电阻（典型值）
      • 30mΩ (SCT3030AW7), 60mΩ (SCT3060AW7), 80mΩ (SCT3080AW7), 120mΩ (SCT3120AW7)
    • 漏电流
      • 70A (SCT3030AW7), 38A (SCT3060AW7), 29A (SCT3080AW7), 21A (SCT3120AW7)
    • 总功率耗散值
      • 267W (SCT3030AW7), 159W (SCT3060AW7), 125W (SCT3080AW7), 100W (SCT3120AW7)
  • SCT3xxxKW7
    • 1200 V漏源电压
    • 漏极－源极导通电阻（典型值）
      • 40mΩ (SCT3040KW7), 80mΩ (SCT3080KW7), 105mΩ (SCT3105KW7), 160mΩ (SCT3160KW7)
    • 漏电流
      • 56A (SCT3040KW7), 30A (SCT3080KW7), 23A (SCT3105KW7), 17A (SCT3160KW7)
    • 总功率耗散值
      • 267W (SCT3040KW7), 159W (SCT3080KW7), 125W (SCT3105KW7), 100W (SCT3160KW7)

电路图

应用电路图 - ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET

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发布日期: 2020-10-16 | 更新日期: 2024-10-22