ROHM Semiconductor SCT4013DR N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款高性能设备，设计用于要求苛刻的电力电子设备应用。 这款设备的漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为105A（+25°C时），具有卓越的效率和热性能。ROHM SCT4013DR具有13mΩ（典型值）低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于电源、逆变器和电机驱动器等高频应用。SCT4013DR还受益于SiC技术固有的优势，包括高击穿电压、低开关损耗和优异的导热性，这有助于减小系统尺寸并提高可靠性。该MOSFET采用TO-247-4L外壳，支持强大的热管理，易于集成到现有设计中。