ST的新型STDRIVE系列半桥MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于在恶劣的工业环境中承受高达600V的高电压,同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。L6491、L6494和L6498高压半桥栅极驱动器具有高达4A的灌电流/拉电流能力,因此特别适合用于中高容量电源开关。
EVAL6494L、EVAL6498L 评估板支持评估L6494和L6498高压、高侧和低侧2A栅极驱动器,这些驱动器设计用于在恶劣的工业环境中工作。该器件 最高可承受600V高压,同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。
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高压高侧/低侧 4A 栅极驱动器利用 BCD6 "OFF-LINE" 技术制成。
用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。
高密度功率驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。
可评估 L6491 全部特性,同时驱动电源开关 电压速率高达 600V。
电机控制评估套件,用于演示STripFET F7功率MOSFET的功能。
用于评估L6494L栅极驱动器的演示板。
设计用于评估采用BCD6 OFF-LINE技术的L6498L高压栅极驱动器的评估板。
设计用于评估STGAP2DM隔离式半桥栅极驱动器的演示板。
用于评估STGAP2SCM隔离式单通道栅极驱动器。
设计用于演示如何使用两个L6393驱动器并通过全桥拓扑来驱动单相负载。
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。