STMicroelectronics STD65N160M9沟道功率MOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 N沟道功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。MOSFET适合用于中/高压，具有非常低的单位面积R_DS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，它特别适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。