STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。
特性
- 全球最佳RDS(on) x 面积
- 全球最佳FOM（品质因数）
- 超低栅极电荷
- 100%经雪崩测试
- 齐纳保护
应用
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和功能一体机适配器
- LED灯
应用电路图
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STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
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发布日期: 2024-06-11
| 更新日期: 2024-06-25