Texas Instruments 带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管 (FET)

Texas Instruments带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管具有保护功能，设计用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R030集成了硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这一集成功能与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑结构中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。

高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测（ZVD）。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出报告。报告的故障包括过热、过流和UVLO监测。ZVD功能可在实现零电压开关（ZVS）时，从ZVD引脚提供脉冲输出。

特性

带集成栅极驱动器的650V硅上氮化镓场效应晶体管 (FET)
- 集成高精度栅极偏置电压
- FET保持关断：200V/ns
- 开关频率：2MHz
- 20V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和缓解EMI
- 在7.5V至18V电源下工作
强大的保护功能
- 响应时间小于100ns的逐周期过流和闭锁短路保护
- 硬开关时可耐受720V浪涌
- 针对内部过热和UVLO监控的自我保护