Toshiba TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET
Toshiba TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET具有低漏极-源极导通电阻（RDS (ON)=0.902Ω（典型值））。该MOSFET具有高速开关特性和较低电容，增强模式下Vth=3V至4V（VDS=10V，ID=1.02mA）。它们非常适合用于开关电源应用。
特性
- 低漏极-源极导通电阻：RDS(ON)=0.902Ω（典型值）
- 高速开关特性，低电容
- 增强模式：Vth=3至4V（VDS=10V，ID=1.02mA）
- 应用、开关电源
封装和内部电路
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650V功率MOSFET具有0.033ω（典型值）的低漏极-源极导通电阻。
发布日期: 2020-12-10
| 更新日期: 2024-11-26