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Toshiba Dtmosvi MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)= 0.033 Ω（典型值）)。这些器件具有650V漏源电压和57A漏极电流。DTMOSVI系列MOSFET具有高速开关特性和较低电容。这些MOSFET非常适合用于开关电源应用。

规范

  • 漏极-源极电压 (VDSS)：650V
  • 栅极-源极电压 (VGSS)：±30
  • 漏极电流 (DC) (ID) ( Tc = 25°C)：57A
  • 脉冲漏极电流(IDP)：228A
  • 功率耗散 (PD)：360W
  • 漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)) (VGS = 10V, ID = 28.5a)：0.033ω（典型值））
  • 栅极阈值电压 (VTH) (VGS = 10V) ，ID = 2.85mA：3V（最小值）/4V（最大值）
  • 输入电容 (CISS)：6250pF
  • 总栅极电荷 (Qg) (VDD = 400V)，VGS = 10V，ID = 57A ：105nC

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发布日期: 2018-08-22 | 更新日期: 2024-03-12