Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET
Vishay/Siliconix Si3493DDV 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET具有低导通电阻，在-1.8VGS时的最大值为0.05Ω。Si3493DDV MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。该款功率MOSFET可采用单配置TSOP-6封装尺寸。Si3493DDV MOSFET提供可满足各种应用的额定导通电阻。应用包括移动设备中的负载开关、电池开关以及电池管理。
特性
- TrenchFET®第三代p通道功率MOSFET
- -1.8V VGS时的额定RDS(on)
- 经100%Rg和UIS测试
应用
- 移动设备的电池管理
- 电池开关
- 负载开关
- PA开关
规格
Si3493DDV电路图
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具有低导通电阻和低电压降，可提高效率并延长电池使用时间。
发布日期: 2017-06-09
| 更新日期: 2022-06-30