Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET
Vishay/Siliconix Si8481DB 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET具有低导通电阻和低高度（最高0.6mm）。Si8481DB MOSFET的工作温度范围是-55ºC至150ºC。该功率MOSFET采用单配置Micro Foot®封装。应用包括具有低压降的负载开关，以及电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理。
特性
- TrenchFET®第三代p通道功率MOSFET
- 高度低，最大0.6mm
- 低导通电阻
应用
- 具有低压降的负载开关
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
Si8481DB规格
Si8481DB电路图
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具有低导通电阻和低电压降，可提高效率并延长电池使用时间。
发布日期: 2017-07-14
| 更新日期: 2022-06-30