Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET
Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET采用第四代E系列技术和TO-220 FULLPAK封装。SiHF080N60E MOSFET具有低品质因数 (FOM) Ron x Qg和低有效电容 (CO(er))。Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET具有650V漏源电压63nC总栅极电荷。
SiHF080N60E E系列功率MOSFET非常适合用于服务器、电信电源、开关模式 (SMPS) 和功率因数校正 (PFC) 电源。
特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数 (FOM) Ron x Qg
- 低有效电容 (CO(er))
- 减少了开关和导通损耗
- 雪崩能量等级 (UIS)
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度放电 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）
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电路图
发布日期: 2021-03-10
| 更新日期: 2022-03-11