Vishay Semiconductors 第四代E系列MOSFET
Vishay Semiconductors第四代
E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET,采用E系列技术。第四代
E系列MOSFET具有低有效电容,能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代
MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK
® SO-8L、PowerPAK
® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。
特性
- 第四代E系列技术
- 低FOM Ronx QG
- 低有效电容 (CO(er))
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因素校正 (PFC) 电源
- 照明:
- 工业:
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)
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Offers a 30% reduction in specific On-resistance versus the Vishay S Series Power MOSFETs.
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
与先前的600V E系列相比,导通电阻降低了30%,栅极电荷减少了44%。
具有低FOM、低开关和导通损耗、低输入电容和低栅极电荷。
发布日期: 2018-09-28
| 更新日期: 2023-08-14