Vishay / Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低R_DS Q_g品质因数 (FOM)，经过调谐，可实现最低R_DS Q_oss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道 60V (D-S) MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。