Vishay / Siliconix SiS176LDN N沟道70V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiS176LDN N通道70V(D-S)MOSFET采用TrenchFET第四代功率MOSFET技术。SiS176LDN MOSFET具有非常低的RDS Qg 品质因数(FOM),经过调谐可实现最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiS176LDN N通道70V(D-S)MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。

特性

  • TrenchFET®第四代功率MOSFET
  • 超低RDS – Qg 品质因数(FOM)
  • 经过调谐,可实现最低RDS – Qoss FOM
  • 100%通过Rg 和UIS测试

应用

  • 同步整流
  • 一次侧开关
  • 直流/直流转换器
  • 电机驱动开关
  • 负载开关

电路图

应用电路图 - Vishay / Siliconix SiS176LDN N沟道70V (D-S) MOSFET
发布日期: 2021-03-11 | 更新日期: 2023-12-26