Vishay PowerPAK® 1212 MOSFET
Vishay POWERPAK® 1212 MOSFET非常适用于开关应用,具有约1mΩ的裸片导通电阻,可处理高达85A的电流。Vishay POWERPAK 1212采用了一种封装技术,可降低高性能裸片遭受损害的风险。该封装采用紧凑设计,具有超低热阻,因此非常适用于空间受限的应用。
特性
- 非常适合用于开关应用
- 裸片导通电阻约为1mΩ,可处理高达85A的电流
- 采用紧凑设计,具有超低热阻
- 采用封装技术,可降低高性能裸片性能下降的风险
- 非常适合用于空间受限的应用
精选产品
采用TrenchFET® 第四代功率MOSFET技术和PowerPAK® 1212-8单封装。
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
具有非常低的RDS x Qg 品质因数(FOM),可提高功率转换效率。
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
具有低导通电阻和低电压降,可提高效率并延长电池使用时间。
符合AEC-Q101标准的TrenchFET®功率MOSFET,采用各种封装,实现设计灵活性。
采用TrenchFET® 功率MOSFET技术和PowerPAK® 1212-8W单封装。
TrenchFET® 第五代功率MOSFET采用电源倒装技术,增强了散热性能。
发布日期: 2023-12-26
| 更新日期: 2024-09-18