Vishay / Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET采用PowerPAK® 1212-8单封装和TrenchFET Gen IV技术。SiS178LDN MOSFET具有非常低的RDS x Qg品质因数 (FOM)。Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET设计用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、电机驱动控制和负载开关应用。
特性
- TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
- 超低RDS - Qg品质因数 (FOM)
- 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
- 经100% Rg和UIS测试
应用
- 同步整流
- 一次侧开关
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 负载开关
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电路图
发布日期: 2021-03-11
| 更新日期: 2022-03-11