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Vishay SiR680ADP N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N沟道 (D-S) MOSFET是TrenchFET® 第四代功率MOSFET，具有低RDS至Qg 品质因数 (FOM)。该MOSFET经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM，100%通过Rg和UIS测试。SiR680ADP MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。该MOSFET的漏级-源级电压为80V，栅极-源极电压为±20V，脉冲漏电流为125A。SiR680ADP MOSFET采用PowerPAK SO-8封装。该MOSFET非常适合用于同步整流一次侧开关、直流/直流转换器、OR-ing、电源和电机驱动控制。

特性

  • TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
  • 超低RDS至Qg品质因数 (FOM)
  • 单配置
  • 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
  • 经100% Rg和UIS测试
  • PowerPAK SO-8封装

应用

  • 同步整流
  • 一次侧开关
  • 直流/直流转换器
  • OR-ing
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 电池和负载开关

规范

  • 工作温度范围：-55°C至150°C
  • 漏极-源极电压：80V
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：125A

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发布日期: 2020-06-16 | 更新日期: 2024-12-20