Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET
Vishay/SiliconSense SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET是一款TrenchFET® 第五代功率MOSFET，采用电源倒装技术，可提高散热性能。SiSD5300DN的工作结温范围为-55°C至+150°C，具有非常低的漏源电阻和栅极电荷品质因数 (FOM)。应用包括直流/直流转换器、同步整流、电池管理、 O型圈和负载开关。
特性
- TrenchFET®第五代功率MOSFET
- 超低RDS x Qg 品质因数（FOM）
- 源极翻转技术提高了散热性能
- 100%经过Rg 和UIS测试
- 单配置
- PowerPAK® 1212-F封装类型
- 无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
- 直流/直流转换器
- 同步整流
- 电池管理
- O形圈和负载开关
规范
- 漏极-源极电压：30V（最大值）
- 最大栅极-源极电压：+16V/-12V
- 脉冲漏极电流：500A（最大值）
- 连续漏极电流：198A
- 漏极-源极导通电阻：87Ω
- 功率耗散：57W
- 栅极-源极阈值电压：2 V
- 栅极电荷：27nC
- 90 ns 上升时间
- 15 ns 下降时间
- 单脉冲雪崩电流：38A（最大值）
- 单脉冲雪崩能量：72mJ（最大值）
- 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
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发布日期: 2024-02-23
| 更新日期: 2024-03-07