功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 309
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2,625库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1,723库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 914库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3,721库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 6,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp 508库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII 1,922库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 5,275库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS 672库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package 1,046库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 434库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd 320库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1,340库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 1,744库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A 1,310库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package 647库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 280库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 2,899库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 74库存量
1,000预期 2026/10/2
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 2,161库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,878库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2 992库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package 706库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5 415库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3