功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
数据表
2,924库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
数据表
384库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
数据表
565库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
数据表
595库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
数据表
74库存量
1,000预期 2026/11/6
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
数据表
产品评论
2,415库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
227库存量
1,000预期 2027/1/29
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
2,161库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
数据表
1,877库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
数据表
884库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
706库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
数据表
415库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
数据表
1,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
数据表
1,033库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
424库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
数据表
1,267库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
数据表
607库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
数据表
1,022库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
数据表
1,778库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
数据表
1,567库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
数据表
658库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
数据表
2,750库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
数据表
7,145库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
数据表
479库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3