结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,908库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,921库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,155库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 631库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3