GaN 半导体

结果: 804
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Power Integrations 交流/直流转换器 85 W (85-265 VAC) 2,631库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Power Integrations 交流/直流转换器 75 W (85-265 VAC) 1,927库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Power Integrations 交流/直流转换器 180 W (85-265 VAC) 1,959库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Power Integrations 交流/直流转换器 70 W (85-265 VAC) 848库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Power Integrations 交流/直流转换器 220 W (85-265 VAC) 1,767库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver 4,016库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12 2,234库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7 2,457库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

STMicroelectronics 栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 461库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,921库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,155库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 830库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2,622库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Nexperia GaN 场效应晶体管 GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 4,664库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Power Integrations 交流/直流转换器 115 W (85-264 VAC) 1,862库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver 2,775库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

MACOM 射频放大器 MMIC, GaN, 28V, 2W, DC-6.0GHz, 440219 PK 84库存量
100预期 2026/7/28
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V 664库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V 664库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 172库存量
最低: 1
倍数: 1

Texas Instruments 栅极驱动器 Automotive 4-A/4-A s ingle-channel gate 454库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 250

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 101库存量
5,000预期 2026/11/11
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES 1,636库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 1,161库存量
5,000预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5 89库存量
2,000预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
: 2,000