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Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
10/17/2025
专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
08/29/2025
具有150mW和300mW的耗散功率，并通过了AEC-Q101认证。
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
04/04/2025
这些SiC SCHOTTKY势垒二极管的重复峰值反向电压（VRRM）额定值为1200V。
Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
10/14/2024
采用L-TOGL™软件包，以满足汽车设备中对48V电池日益增长的需求。
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
09/13/2024
有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
09/10/2024
8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
08/12/2024
采用8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
05/13/2024
非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。
Toshiba XCUZ齐纳二极管
Toshiba XCUZ齐纳二极管
01/23/2024
设计用于汽车应用，功耗为600mW，符合AEC-Q101标准。
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
07/26/2023
650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06/09/2023
具有低源-源导通电阻，符合RoHS指令。
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
02/13/2023
其RDS(ON)为0.23mΩ（典型值），阈值电压（Vth）为2V至3V，能力为400A。
Toshiba CSLZ齐纳二极管
Toshiba CSLZ齐纳二极管
11/21/2022
采用小型SL2封装。
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onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
07/30/2026
Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.
onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
07/30/2026
Designed to replace a single device and its external resistor bias network.
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
07/20/2026
该整流器采用玻璃钝化结，稳定性更强，采用DO-214AB封装组装。
IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
07/20/2026
节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
07/07/2026
为电子设备外部端口提供ESD、EFT和浪涌保护，从而限制严重损坏。
Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
06/30/2026
超低电容单线，28V TVS二极管，保护高速信号线免受ESD和EOS的影响。
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06/29/2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Littelfuse TVS SPA二极管阵列
Littelfuse TVS SPA二极管阵列
06/26/2026
TVS二极管阵列用于保护数据和电源接口免受ESD、EFT和浪涌事件的影响。
Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
06/26/2026
双向汽车级TVS二极管，采用紧凑型SOD-323封装。
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
06/25/2026
采用双向配置，提供3V至36V的多种电压选项。
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
06/22/2026
专为保护高速差动线路而设计的低电容设备。
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
06/12/2026
紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
05/12/2026
符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准，为数据端口提供保护。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
Littelfuse AK-FL TVS二极管
Littelfuse AK-FL TVS二极管
05/04/2026
轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
Littelfuse SJx08x高温SCR
Littelfuse SJx08x高温SCR
04/24/2026
电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
04/24/2026
额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
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