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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
03/17/2026
该器件额定电压为1200V,外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ,搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
11/18/2025
11/18/2025
该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V,ID额定值(VDS =-10V)为±22A。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
一款车规级MOSFET,其额定VDSS 为100V,额定ID 为±40A,符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
一款车规级MOSFET,额定VDSS 为40V,额定ID 为±12A,符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V,额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET,额定VDSS 为40V,额定ID为±40A,符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
一款车规级MOSFET,额定VDSS 为-60V,额定ID 为±36A,符合AEC-Q101认证要求。
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Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
10/06/2026
10/06/2026
该器件是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT,工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET模块
10/02/2026
10/02/2026
适用于电动商用车牵引逆变器的1400V CoolSiC MOSFET模块。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
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