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Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
10/17/2025
专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
08/29/2025
具有150mW和300mW的耗散功率，并通过了AEC-Q101认证。
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
04/04/2025
这些SiC SCHOTTKY势垒二极管的重复峰值反向电压（VRRM）额定值为1200V。
Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
10/14/2024
采用L-TOGL™软件包，以满足汽车设备中对48V电池日益增长的需求。
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
09/13/2024
有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
09/10/2024
8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
08/12/2024
采用8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
05/13/2024
非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。
Toshiba XCUZ齐纳二极管
Toshiba XCUZ齐纳二极管
01/23/2024
设计用于汽车应用，功耗为600mW，符合AEC-Q101标准。
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
07/26/2023
650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06/09/2023
具有低源-源导通电阻，符合RoHS指令。
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
02/13/2023
其RDS(ON)为0.23mΩ（典型值），阈值电压（Vth）为2V至3V，能力为400A。
Toshiba CSLZ齐纳二极管
Toshiba CSLZ齐纳二极管
11/21/2022
采用小型SL2封装。
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Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10/05/2026
Offers a clamping voltage lower than alternative technologies such as MOVs and GDTs.
Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
10/05/2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
10/05/2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
09/17/2026
80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
09/16/2026
该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
09/15/2026
设计用于保护电源线或其他低速I/O免受ESD和小型浪涌瞬变的影响。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
09/14/2026
用于GPIO和低压电源线保护的紧凑型2V双向ESD二极管。
Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
09/10/2026
专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
09/10/2026
专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
09/10/2026
专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
09/10/2026
专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
09/10/2026
保护敏感的电子设备免受雷击引起的瞬态电压的影响。
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
09/09/2026
旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
09/01/2026
简化并加速数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。
IXYS SK002xSx敏感型SCR
IXYS SK002xSx敏感型SCR
08/27/2026
具有微处理器驱动支持和高抗噪的敏感型SCR。
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
08/25/2026
全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08/17/2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
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