|
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
- HFA3046BZ
- Renesas / Intersil
-
1:
¥116.1301
-
2,412在途量
|
Mouser 零件编号
968-HFA3046BZ
|
Renesas / Intersil
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
|
|
2,412在途量
在途量:
412 预期 2027/2/16
2,000 预期 2027/3/22
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOIC-14
|
Bipolar
|
Si
|
8 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
- HFA3096BZ
- Renesas / Intersil
-
1:
¥107.8698
-
2,400在途量
|
Mouser 零件编号
968-HFA3096BZ
|
Renesas / Intersil
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
|
|
2,400在途量
在途量:
1,440 预期 2027/7/23
960 预期 2027/7/26
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOIC-Narrow-16
|
Bipolar
|
Si
|
5.5 GHz, 8 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
- HFA3096BZ96
- Renesas / Intersil
-
1:
¥102.7283
-
2,076预期 2027/2/5
|
Mouser 零件编号
968-HFA3096BZ96
|
Renesas / Intersil
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
|
|
2,076预期 2027/2/5
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOIC-Narrow-16
|
Bipolar
|
Si
|
5.5 GHz, 8 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
- HFA3135IHZ96
- Renesas / Intersil
-
1:
¥112.3333
-
2,890预期 2027/2/5
|
Mouser 零件编号
968-HFA3135IHZ96
|
Renesas / Intersil
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
|
|
2,890预期 2027/2/5
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23
|
Bipolar
|
Si
|
7 GHz
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
- BFP420H6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3.8081
-
113,473在途量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFP420H6327XTSA1
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
|
|
113,473在途量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-343-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BFR193E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3.1414
-
522,000在途量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR193E6327HTSA1
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
522,000在途量
在途量:
162,000 预期 2027/3/11
45,000 预期 2027/3/18
315,000 预期 2027/3/25
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
- BFR193FH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2.5651
-
668,951在途量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR193FH6327XTSA
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
|
|
668,951在途量
在途量:
71,951 预期 2026/12/3
597,000 预期 2027/1/28
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
TSFP-3
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
- BFR 92P E6327
- Infineon Technologies
-
1:
¥9.4242
-
142,376预期 2027/3/4
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR92PE6327
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
|
|
142,376预期 2027/3/4
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23
|
Bipolar
|
Si
|
5 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,50V,150pk
MACOM MRF1150MB
- MRF1150MB
- MACOM
-
1:
¥1,155.877
-
137预期 2027/3/12
|
Mouser 零件编号
937-MRF1150MB
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,50V,150pk
|
|
137预期 2027/3/12
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,<30MHz,50V,250W
MACOM MRF448A
- MRF448A
- MACOM
-
1:
¥2,972.1486
-
100预期 2026/11/25
|
Mouser 零件编号
937-MRF448A
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,<30MHz,50V,250W
|
|
100预期 2026/11/25
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AP1G
- Microchip Technology
-
1:
¥372.4706
-
177在途量
|
Mouser 零件编号
494-ARF463AP1G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
177在途量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
Si
|
100 MHz
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55008TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥132.1761
-
500预期 2027/1/8
|
Mouser 零件编号
511-PD55008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
500预期 2027/1/8
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
600
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
LDMOS FET
|
Si
|
1 GHz
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
17 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
- MMBT5179
- onsemi
-
1:
¥2.9832
-
86,452在途量
|
Mouser 零件编号
512-MMBT5179
|
onsemi
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
|
|
86,452在途量
在途量:
35,452 预期 2026/11/24
51,000 预期 2026/12/16
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
Bipolar
|
Si
|
2 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 HIGH-CURRENT SWITCHING
- CPH6003A-TL-E
- onsemi
-
1:
¥6.2828
-
17,631在途量
|
Mouser 零件编号
863-CPH6003A-TL-E
|
onsemi
|
射频(RF)双极晶体管 HIGH-CURRENT SWITCHING
|
|
17,631在途量
在途量:
14,631 预期 2026/12/22
3,000 预期 2027/1/22
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SC-74-6
|
Bipolar
|
Si
|
7 GHz
|
|
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
- DU2820S
- MACOM
-
1:
¥988.2076
-
120预期 2027/4/16
|
Mouser 零件编号
937-DU2820S
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
|
|
120预期 2027/4/16
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
175 MHz
|
20 W
|
|
+ 200 C
|
13 dB
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
- MRF151
- MACOM
-
1:
¥2,580.3211
-
50预期 2027/5/11
|
Mouser 零件编号
937-MRF151
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
|
|
50预期 2027/5/11
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
221-11-3
|
|
Si
|
175 MHz
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
¥923.3569
-
95预期 2027/5/21
|
Mouser 零件编号
937-MRF160
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
95预期 2027/5/21
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
249-06
|
|
Si
|
500 MHz
|
4 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
18 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
- MRF455
- MACOM
-
1:
¥1,283.0924
-
76预期 2027/4/16
|
Mouser 零件编号
937-MRF455
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
|
|
76预期 2027/4/16
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Screw Mount
|
211-07
|
Bipolar Power
|
Si
|
30 MHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
- UF2840P
- MACOM
-
1:
¥1,212.2866
-
127预期 2027/7/14
|
Mouser 零件编号
937-UF2840P
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
|
|
127预期 2027/7/14
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
100 MHz to 500 MHz
|
40 W
|
|
+ 200 C
|
10 dB
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G22XS-400AVTY
- Ampleon
-
1:
¥767.9367
-
95预期 2027/1/18
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G22XS400AVTY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
|
|
95预期 2027/1/18
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.2 GHz
|
400 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.3 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
- BLM9D1822S-60PBGY
- Ampleon
-
1:
¥499.686
-
200预期 2026/11/26
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLM9D1822S-60PBGY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
|
|
200预期 2026/11/26
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
OMP-780-16G-1-16
|
|
LDMOS
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
45.4 dBm
|
|
+ 150 C
|
28.3 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
- BLM9D2327-26BZ
- Ampleon
-
1:
¥245.3343
-
419预期 2026/12/21
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLM9D2327-26BZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
|
|
419预期 2026/12/21
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
QFN-20
|
|
LDMOS
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
44.8 dBm
|
|
+ 200 C
|
31.3 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL
- BLP15H9S100XY
- Ampleon
-
1:
¥251.2103
-
220预期 2027/1/18
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S100XY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL
|
|
220预期 2027/1/18
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
|
LDMOS
|
2 GHz
|
100 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
- BFR 460L3 E6327
- Infineon Technologies
-
1:
¥4.3844
-
12,000预期 2027/2/18
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR460L3E6327
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
|
|
12,000预期 2027/2/18
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
15,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
TSLP
|
Bipolar
|
Si
|
22 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
- BFR843EL3E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥6.5314
-
12,400预期 2027/4/29
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR843EL3E6327XT
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
|
|
12,400预期 2027/4/29
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
15,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
TSLP-3
|
Bipolar
|
SiGe
|
12 GHz
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
