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RF晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	资格	封装
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies 1: ¥2.7346 2,499预期 2027/2/25 寿命结束	制造商零件编号 BFR35APE6327HTSA1 Mouser 零件编号 726-BFR35APE6327HTSA 寿命结束	Infineon Technologies	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	数据表	2,499预期 2027/2/25	剪切带 ¥2.7346 ¥1.6724 ¥1.3334 ¥1.2656 ¥1.2091 卷轴 ¥1.09158 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	RF Bipolar Transistors		SOT-23-3		Si						AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL BLP5LA55SXY Ampleon 1: ¥236.735 交货期 16 周 Mouser 的新产品	制造商零件编号 BLP5LA55SXY Mouser 零件编号 94-BLP5LA55SXY Mouser 的新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL	数据表	交货期 16 周	剪切带 ¥236.735 ¥189.501 ¥175.7715 卷轴 ¥156.166 ¥148.3125 查看 ¥146.0751 报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	TO-270-2F-1-3		LDMOS	520 MHz	55 W		+ 225 C	19.6 dB		Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER TAV1-541+ Mini-Circuits 1: ¥19.5264 无库存交货期 19 周	制造商零件编号 TAV1-541+ Mouser 零件编号 139-TAV1-541+	Mini-Circuits	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER 了解更多关于Mini-Circuits mini circuits tav1541 low noise amplifier 的信息	数据表	无库存交货期 19 周	剪切带 ¥19.5264 卷轴 ¥19.5264 ¥17.7862 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 500	RF MOSFETs	SMD/SMT	MCLP-4		GaAs	45 MHz to 6 GHz	20.7 dBm	- 40 C	+ 85 C	18.6 dB		Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 ARF1500 Microchip Technology 1: ¥2,570.4788 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF1500 Mouser 零件编号 494-ARF1500	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1	数据表	无库存交货期 24 周	¥2,570.4788 查看报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Screw Mount			Si	40 MHz	750 W	- 55 C	+ 175 C	17 dB
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466AG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466AG Mouser 零件编号 494-ARF466AG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si							Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 ARF466BG Microchip Technology 25: ¥541.7898 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466BG Mouser 零件编号 494-ARF466BG	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264	数据表	无库存交货期 24 周	¥541.7898 ¥458.4071 查看报价	最低： 25 倍数： 1	RF MOSFETs	Through Hole	TO-247-3		Si	45 MHz	300 W	- 55 C	+ 150 C	16 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3 ARF466FL Microchip Technology 10: ¥1,230.7282 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF466FL Mouser 零件编号 494-ARF466FL	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3	数据表	无库存交货期 24 周	¥1,230.7282 查看报价	最低： 10 倍数： 1	RF MOSFETs				Si
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A ARF475FL Microchip Technology 1: ¥1,243.8814 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF475FL Mouser 零件编号 494-ARF475FL	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A	数据表	无库存交货期 24 周	¥1,243.8814 ¥1,243.3842 ¥1,118.4853 ¥1,115.9202 ¥854.5399	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Screw Mount			Si	150 MHz	900 W	- 55 C	+ 175 C	15 dB
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C ARF477FL Microchip Technology 10: ¥1,263.0688 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 ARF477FL Mouser 零件编号 494-ARF477FL	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C	数据表	无库存交货期 24 周	¥1,263.0688 查看报价	最低： 10 倍数： 1	RF MOSFETs	Screw Mount			Si	100 MHz	400 W	- 55 C	+ 175 C	16 dB
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 VRF151G Microchip Technology 1: ¥1,444.0609 无库存交货期 22 周	制造商零件编号 VRF151G Mouser 零件编号 494-VRF151G	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208	数据表	无库存交货期 22 周	¥1,444.0609 查看报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOE-4		Si	175 MHz	300 W	- 65 C	+ 150 C	16 dB
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 VRF152 Microchip Technology 1: ¥870.0096 交货期 22 周	制造商零件编号 VRF152 Mouser 零件编号 494-VRF152	Microchip Technology	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174	数据表	交货期 22 周	¥870.0096 ¥736.2515 查看报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Screw Mount			Si	175 MHz	150 W	- 65 C	+ 150 C	22 dB
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST PD54008TR-E STMicroelectronics 600: ¥82.6369 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD54008TR-E Mouser 零件编号 511-PD54008TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥82.6369 ¥78.5802	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	11.5 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD55003S-E STMicroelectronics 1: ¥93.8804 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55003S-E Mouser 零件编号 511-PD55003S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥93.8804 ¥65.3479 ¥60.2177 ¥59.3928	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	3 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD55015STR-E STMicroelectronics 600: ¥86.6032 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55015STR-E Mouser 零件编号 511-PD55015STR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥86.6032 报价报价	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	15 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel PD55025TR-E STMicroelectronics 600: ¥181.8057 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55025TR-E Mouser 零件编号 511-PD55025TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥181.8057	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-2	LDMOS FET	Si	500 MHz	25 W		+ 165 C	14.5 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD57018STR-E STMicroelectronics 600: ¥187.6817 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57018STR-E Mouser 零件编号 511-PD57018STR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥187.6817 报价报价	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD57018TR-E STMicroelectronics 600: ¥185.9415 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57018TR-E Mouser 零件编号 511-PD57018TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥185.9415	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD57030S-E STMicroelectronics 400: ¥298.772 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57030S-E Mouser 零件编号 511-PD57030S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥298.772	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57045-E STMicroelectronics 400: ¥362.6283 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57045-E Mouser 零件编号 511-PD57045-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	无库存交货期 23 周	¥362.6283	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	45 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060S-E STMicroelectronics 400: ¥391.5789 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57060S-E Mouser 零件编号 511-PD57060S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	无库存交货期 23 周	¥391.5789	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060TR-E STMicroelectronics 600: ¥391.5789 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57060TR-E Mouser 零件编号 511-PD57060TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥391.5789	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans PD85035S-E STMicroelectronics 400: ¥174.1217 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD85035S-E Mouser 零件编号 511-PD85035S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	数据表	无库存交货期 23 周	¥174.1217 报价报价	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	35 W	- 65 C	+ 150 C	14.9 dB		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans PD85035STR-E STMicroelectronics 600: ¥188.9247 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD85035STR-E Mouser 零件编号 511-PD85035STR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥188.9247	最低： 600 倍数： 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	35 W	- 65 C	+ 150 C	14.9 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor RF2L15200CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,288.6294 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L15200CB4 Mouser 零件编号 511-RF2L15200CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,288.6294	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	LBB-5	LDMOS FET	Si	860 MHz	200 W		+ 200 C	17.5 dB		Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L16180CF2 STMicroelectronics 120: ¥1,002.2648 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L16180CF2 Mouser 零件编号 511-RF2L16180CF2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,002.2648	最低： 120 倍数： 120 : 120	RF MOSFETs	SMD/SMT	B2-3	LDMOS FET	Si	1.47 GHz	180 W		+ 200 C	17.5 dB		Reel