|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥63.6868
-
16,812库存量
-
6,000预期 2027/1/27
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
16,812库存量
6,000预期 2027/1/27
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
101 A
|
1.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
17 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
2,376库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,376库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
46 A
|
5.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
7.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
990库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
990库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
126 A
|
2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
¥72.8737
-
12,808库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2305
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
12,808库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
133 A
|
2.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
22 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2307
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
11,590库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2307
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
11,590库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
63 A
|
10 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
10.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
¥79.2469
-
13,032库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2361
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
13,032库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
133 A
|
1 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
28 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
- EPC2044
- EPC
-
1:
¥21.8316
-
2,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2044
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
|
|
2,500库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1
|
100 V
|
9.4 A
|
10.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
4.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.679
-
12,099库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
12,099库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
50 V
|
9.6 A
|
8.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
¥34.0017
-
2,788库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
2,788库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2218A
- EPC
-
1:
¥58.3193
-
4,036库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2218A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
4,036库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
10.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
1:
¥116.6273
-
457库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2234
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
457库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N-Channel
|
1 Channel
|
160 V
|
48 A
|
8 mOhms
|
- 4 V
|
2.5 V
|
11.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
¥22.826
-
10,581库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2252
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
10,581库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
8.2 A
|
11 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2308
- EPC
-
1:
¥46.1605
-
5,379库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2308
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
5,379库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
63 A
|
6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
11.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2619
- EPC
-
1:
¥43.3468
-
7,134库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2619
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
7,134库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
3.3 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2037
- EPC
-
1:
¥18.0348
-
26,926库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2037
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
26,926库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
550 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
115 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
¥39.1206
-
13,837库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2059
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
13,837库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
170 V
|
24 A
|
9 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
¥59.9691
-
10,684库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2215
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
10,684库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
32 A
|
8 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
13.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
9,116库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2306
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
9,116库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
63 A
|
3.1 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
- EPC2304
- EPC
-
1:
¥74.8625
-
34库存量
-
24,000在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2304
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
|
|
34库存量
24,000在途量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
FCQFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
133 A
|
5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
21 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
- EPC2014C
- EPC
-
1:
¥19.5264
-
6,623库存量
-
10,000预期 2026/10/28
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2014C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
|
|
6,623库存量
10,000预期 2026/10/28
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
10 A
|
16 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2031
- EPC
-
1:
¥74.2749
-
450库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2031
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
450库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-24
|
N-Channel
|
1
|
60 V
|
48 A
|
2.6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
16 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2035
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
4,199库存量
-
7,500预期 2027/2/19
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2035
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
4,199库存量
7,500预期 2027/2/19
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最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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SMD/SMT
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BGA-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.7 A
|
45 mOhms
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- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
880 pC
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- 40 C
|
+ 150 C
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Enhancement
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eGaN FET
|
GaN
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2036
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
11,422库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
65-EPC2036
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
11,422库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
73 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
700 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2038
- EPC
-
1:
¥18.0348
-
5,991库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2038
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
5,991库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
500 mA
|
3.3 Ohms
|
6 V
|
2.5 V
|
44 pC
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- 40 C
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+ 150 C
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Enhancement
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eGaN FET
|
GaN
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GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2040
- EPC
-
1:
¥15.5488
-
12,268库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
65-EPC2040
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
12,268库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
30 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
745 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
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Enhancement
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eGaN FET
|
GaN
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