|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
2,139库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,139库存量
|
|
|
¥34.578
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥13.4018
|
|
|
¥12.0797
|
|
|
查看
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥11.5825
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
46 A
|
5.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
7.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
900库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
900库存量
|
|
|
¥80.4786
|
|
|
¥55.1666
|
|
|
¥41.4371
|
|
|
¥41.2789
|
|
|
¥37.4708
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
126 A
|
2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥60.9635
-
11,532库存量
-
9,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
11,532库存量
9,000在途量
在途量:
3,000 预期 2026/8/18
6,000 预期 2026/12/15
|
|
|
¥60.9635
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥28.5325
|
|
|
¥24.8939
|
|
|
¥23.2441
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
101 A
|
1.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
17 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
- EPC2304
- EPC
-
1:
¥74.8625
-
6,199库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2304
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
|
|
6,199库存量
|
|
|
¥74.8625
|
|
|
¥51.0308
|
|
|
¥37.6403
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥30.4422
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
FCQFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
133 A
|
5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
21 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
¥72.8737
-
14,815库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2305
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
14,815库存量
|
|
|
¥72.8737
|
|
|
¥39.7082
|
|
|
¥36.5555
|
|
|
¥36.1487
|
|
|
¥33.0864
|
|
|
¥29.4478
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
133 A
|
2.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
22 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
11,460库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2306
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
11,460库存量
|
|
|
¥45.0757
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥16.8709
|
|
|
查看
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥16.046
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
63 A
|
3.1 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2307
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
14,546库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2307
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
14,546库存量
|
|
|
¥45.0757
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.4697
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
63 A
|
10 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
10.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2619
- EPC
-
1:
¥40.5331
-
8,586库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2619
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
8,586库存量
|
|
|
¥40.5331
|
|
|
¥26.8036
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥16.4641
|
|
|
¥13.4018
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
3.3 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
¥22.826
-
11,426库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2252
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
11,426库存量
|
|
|
¥22.826
|
|
|
¥11.3339
|
|
|
¥10.17
|
|
|
¥8.1473
|
|
|
¥6.8026
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.8422
|
|
|
¥6.2037
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
8.2 A
|
11 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2308
- EPC
-
1:
¥46.1605
-
6,000库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2308
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
6,000库存量
|
|
|
¥46.1605
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥18.9388
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
63 A
|
6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
11.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
¥75.3597
-
2,012库存量
-
18,000预期 2026/12/8
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2361
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
2,012库存量
18,000预期 2026/12/8
|
|
|
¥75.3597
|
|
|
¥51.4489
|
|
|
¥37.968
|
|
|
¥37.7194
|
|
|
¥33.0073
|
|
|
¥30.7699
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
133 A
|
1 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
28 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
¥39.1206
-
14,222库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2059
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
14,222库存量
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥25.8092
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥12.8255
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
170 V
|
24 A
|
9 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
¥52.4433
-
10,815库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2215
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
10,815库存量
|
|
|
¥52.4433
|
|
|
¥35.1543
|
|
|
¥29.2783
|
|
|
¥26.8036
|
|
|
¥26.8036
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
32 A
|
8 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
13.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
¥32.6683
-
431库存量
-
2,500预期 2026/8/21
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
431库存量
2,500预期 2026/8/21
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥16.5432
|
|
|
¥14.9725
|
|
|
¥12.3283
|
|
|
¥10.3395
|
|
|
¥10.0118
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
- EPC2014C
- EPC
-
1:
¥19.5264
-
10,450库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2014C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
|
|
10,450库存量
|
|
|
¥19.5264
|
|
|
¥9.5146
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥6.7687
|
|
|
¥5.6048
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5653
|
|
|
¥5.0511
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
10 A
|
16 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2035
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
12,068库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2035
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
12,068库存量
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥8.4411
|
|
|
¥7.4806
|
|
|
¥5.9438
|
|
|
¥4.8929
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.6839
|
|
|
¥4.3957
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.7 A
|
45 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
880 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2036
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
11,519库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2036
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
11,519库存量
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥11.1644
|
|
|
¥7.4806
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¥5.9438
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¥4.8929
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查看
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¥5.4466
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¥4.3957
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¥4.2375
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最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
73 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
700 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2038
- EPC
-
1:
¥18.0348
-
10,923库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2038
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
10,923库存量
|
|
|
¥18.0348
|
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¥8.9383
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¥7.7066
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¥6.1924
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¥5.1076
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查看
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¥5.8421
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¥4.8364
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¥4.633
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报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
500 mA
|
3.3 Ohms
|
6 V
|
2.5 V
|
44 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2040
- EPC
-
1:
¥15.5488
-
12,648库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2040
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
12,648库存量
|
|
|
¥15.5488
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¥7.4015
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¥6.6105
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¥5.2206
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¥4.2827
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¥5.0398
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¥3.8307
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¥3.7516
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|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
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|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
30 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
745 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
- EPC2050
- EPC
-
1:
¥59.551
-
582库存量
-
2,500预期 2026/9/2
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2050
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
|
|
582库存量
2,500预期 2026/9/2
|
|
|
¥59.551
|
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|
¥40.2054
|
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¥29.1992
|
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|
¥27.6285
|
|
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¥24.1481
|
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¥22.4983
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-12
|
N-Channel
|
1 Channel
|
350 V
|
6.3 A
|
80 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
- EPC2051
- EPC
-
1:
¥17.4585
-
4,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2051
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
|
|
4,500库存量
|
|
|
¥17.4585
|
|
|
¥8.4411
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¥7.4806
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¥5.9099
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¥4.8364
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¥5.5709
|
|
|
¥4.3618
|
|
|
¥4.2149
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
25 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
1.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
- EPC2052
- EPC
-
1:
¥21.0067
-
11,983库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2052
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
|
|
11,983库存量
|
|
|
¥21.0067
|
|
|
¥10.5881
|
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¥9.1869
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¥7.5484
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|
|
¥6.2715
|
|
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查看
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|
|
¥7.0851
|
|
|
¥5.6274
|
|
|
¥5.537
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
8.2 A
|
13.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
- EPC2054
- EPC
-
1:
¥23.165
-
13,724库存量
-
10,000预期 2026/12/4
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2054
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
|
|
13,724库存量
10,000预期 2026/12/4
|
|
|
¥23.165
|
|
|
¥11.4921
|
|
|
¥10.17
|
|
|
¥8.2716
|
|
|
¥6.2828
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.8535
|
|
|
¥6.1924
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
3 A
|
43 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2055
- EPC
-
1:
¥28.8715
-
6,756库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2055
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
6,756库存量
|
|
|
¥28.8715
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.9383
|
|
|
查看
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥8.4411
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
29 A
|
3.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
6.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2065
- EPC
-
1:
¥38.2166
-
2,739库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2065
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
2,739库存量
|
|
|
¥38.2166
|
|
|
¥19.6055
|
|
|
¥17.7862
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥13.56
|
|
|
¥12.4074
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|